| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681565316 |
| Дата корректировки | 11:46:19 6 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44802.8480 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства Электронный ресурс |
|
| Experimental studies of the impact of the effects of atomic ordering in epitaxial solid solutions Ga[x] In[1-x]P on their structural and morphological properties | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Ga[x]In[1-x]P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора Ga[x]In[1-x]P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов Ga[x]In[1-x]P с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные твердые растворы |
|
монокристаллические подложки полупроводники твердые растворы полупроводниковая оптоэлектроника эпитаксиальные пленки атомно-силовая микроскопия |
|
|
Леньшин, А. С. Худяков, Ю. Ю. Арсентьев, И. Н. Калюжный, Н. А. Минтаиров, С. А. Николаев, Д. Н. Prutskij, Тatiana |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1131-1137 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_экспериментальные |
| Тип документа | b |
