| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679491382 |
| Дата корректировки | 11:46:06 13 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.04.44333.8089 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кожухов, А. С. | |
|
Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа Электронный ресурс |
|
| Reversible electrochemical modification of semicondector surface by atomic force microscopy probe | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Предложена и обоснована методика обратимого изменения свойств поверхности зондом атомно-силового микроскопа, когда при локальном изменении поверхностного потенциала образца под зондом атомно-силового микроскопа не происходит заметных механических или топографических изменений. На основе предложенной методики установлена возможность контролируемого относительного изменения омического сопротивления канала в мосте Холла в пределах 20-25%. |
| Ключевые слова | атомно-силовые микроскопы |
|
электрохимическая модификация полупроводники модификация поверхности мост Холла |
|
|
Щеглов, Д. В. Латышев, А. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 4. - С. 443-445 |
| Имя макрообъекта | Кожухов_обратимая |
| Тип документа | b |
