| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679412109 |
| Дата корректировки | 14:09:37 12 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.04.44351.8401 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гусейнов, Р. Р. | |
|
Гетероэпитаксиальные структуры InAs[1-x]Sb[x] на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb Электронный ресурс |
|
| InAs[1-x]Sb[x] heteroepitaxial structures on GaInSb and AlGaInSb compositionally graded buffer layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs[1-x]Sb[x] (x = 0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs[1-x]Sb[x]. |
| Ключевые слова | гетероэпитаксиальные структуры |
|
твердые растворы молекулярно-лучевая эпитаксия градиентные буферные слои рентгеновская дифракция микро-рамановское рассеяние фононные спектры узкозонные полупроводники полупроводники |
|
|
Танрывердиев, В. А. Kipshidze, G. Алиева, Е. H. Алигулиева, Х. В. Абдуллаев, Н. А. Мамедов, Н. Т. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 4. - С. 551-557 |
| Имя макрообъекта | Гусейнов_гетероэпитаксиальные |
| Тип документа | b |
