| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Гетероэпитаксиальные структуры InAs[1-x]Sb[x] на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs[1-x]Sb[x] (x = 0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs[1-x]Sb[x]. |
| Ключевые слова | гетероэпитаксиальные структуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 4. - С. 551-557 |
| Имя макрообъекта | Гусейнов_гетероэпитаксиальные |
