Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Танрывердиев, В. А.

Статьи. Автор - Танрывердиев, В. А.

• Гетероэпитаксиальные структуры InAs[1-x]Sb[x] на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
  Гусейнов, Р. Р., Танрывердиев, В. А., Kipshidze, G., Алиева, Е. H., Алигулиева, Х. В., Абдуллаев, Н. А., Мамедов, Н. Т.
  
  Гетероэпитаксиальные структуры InAs[1-x]Sb[x] на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 4. - С. 551-557 .- Гусейнов_гетероэпитаксиальные
• Фазовый переход в цилиндрических изинговых нанопроволоках и нанотрубках: приближение теории молекулярного поля
  Танрывердиев, В. А., Тагиев, В. С., Абдуллаев, М. Н., Керимова, Г. Г.
  
  Фазовый переход в цилиндрических изинговых нанопроволоках и нанотрубках: приближение теории молекулярного поля, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 4. - С. 694-697 .- Танрывердиев_фазовый