| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679405308 |
| Дата корректировки | 11:54:52 12 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.04.44337.8445 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Векслер, М. И. |
| Заглавие | Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| A quantum well charge and voltage partitioning within a metal-insulator-semiconductor structure operating under electron resonant tunneling condition | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Теоретически рассмотрены условия накопления электронов в квантовой яме резонансно-туннельной структуры метал-окисел-p{+} -кремний и масштаб влияния накопленного заряда на распределение напряжения. Исследованы системы с SiO[2], HfO[2] и TiO[2] в качестве диэлектрика. Показано, что появления заряда в яме при резонансном транспорте можно ожидать для структур на подложках с концентрацией акцепторов от (5-6) · 10{18} до (2-3) · 10{19}см{-3} в диапазоне толщин окисла, зависящем от этой концентрации. Так, для структур с SiO[2]/p{+}-Si(10{19} cм{-3}) толщина окисла должна превышать ~ 3 нм. Плотность электронов в яме может достигать величин ~ 10{12} cм{-2} и более. Однако влияние этого заряда на электростатику структуры становится заметным только в режимах сравнительно высоких напряжений, далеких от момента активации резонансного переноса через первую подзону. |
| Ключевые слова | резонансное туннелирование |
|
квантовые ямы электроны мнталлы диэлектрики полупроводники кремний |
|
| Другие авторы | Илларионов, Ю. Ю. |
| Грехов, И. В. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 4. - С. 467-471 |
| Имя макрообъекта | Векслер_заряд |
| Тип документа | b |
