| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679140129 |
| Дата корректировки | 10:08:49 9 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44199.8399 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Козловский, В. В. | |
|
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD) Электронный ресурс |
|
| Effect of the bombarding electrons energy on epitaxial layer n-4H-SiC (CVD) conductivity | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD) при его облучении электронами с энергиями 0.9 и 3.5 МэВ. Показано, что скорость удаления доноров увеличивается почти в 4 раза с ростом энергии бомбардирующих электронов в 4 раза, хотя сечение образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля в подрешетке углерода), ответственных за компенсацию проводимости материала, в этом диапазоне практически не зависит от энергии. Предположено, что причиной наблюдаемых различий является влияние первично выбитых атомов. Во-первых, с ростом энергии первично выбитых атомов начинают сказываться каскадные процессы. Во-вторых, увеличивается среднее расстояние между генетически родственными парами Френкеля и как следствие увеличивается доля не рекомбинирующих при облучении дефектов. Проведены оценки радиуса рекомбинации пары Френкеля в подрешетке углерода и возможного зарядового состояния рекомбинирующих компонент. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные слои |
|
бомбардирующие электроны арсенид-галлиевые диоды карбид кремния пары Френкеля полупроводники |
|
|
Лебедев, А. А. Стрельчук, А. М. Давыдовская, К. С. Васильев, А. Э. Макаренко, Л. Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 311-316 |
|
| Имя макрообъекта | Козловский_влияние |
| Тип документа | b |
