| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679054648 |
| Дата корректировки | 10:25:05 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44101.8327 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пятилова, О. В. | |
|
Влияние типа и степени легирования на морфологию por-Si, полученного гальваническим травлением Электронный ресурс |
|
| Influence of the type and doping level on the morphology of porous silicon produced by galvanic etching | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил.,табл. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C[2]H[5]OH/H[2]O[2] монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины. |
| Ключевые слова | гальваническое травление |
|
легирование пористый кремний капиллярная конденсация азота растровая электронная микроскопия вакуумное испарение |
|
|
Гаврилов, С. А. Шиляева, Ю. И. Павлов, А. А. Шаман, Ю. П. Дудин, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 182-186 |
|
| Имя макрообъекта | Пятилова_влияние |
| Тип документа | b |
