| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние типа и степени легирования на морфологию por-Si, полученного гальваническим травлением Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C[2]H[5]OH/H[2]O[2] монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины. |
| Ключевые слова | гальваническое травление |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 182-186 |
|
| Имя макрообъекта | Пятилова_влияние |
