| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678984295 |
| Дата корректировки | 14:54:05 7 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44102.8285 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Привезенцев, В. В. | |
|
Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде Электронный ресурс |
|
| Study of silicon implanted by zinc and annealed in oxygen | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n-Si(100), имплантированного ионами {64}Zn{+} с дозой 5 · 10{16} см{-2} с энергией 50 кэВ при комнатной температуре с последующим окислением при температурах от 400 до 900°С. Визуализация поверхности проведена с помощью электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с профилированием по глубине с помощью картирования элементов методом оже-электронной спектрокопии. Анализ распределения примесных ионов в кремнии проводился на времяпролетном вторично-ионном масс-спектрометре. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовано химическое состояние атомов матрицы кремния и примесных атомов цинка и кислорода, а также уточнен фазовый состав имплантированного и отожженных образцов. После имплантации Zn наблюдаются два максимума его концентрации: на поверхности пластины и на глубине 70 нм, при этом на поверхности и в приповерхностном слое происходит образование наночастиц фазы металлического Zn и фазы ZnO с размером порядка 10 нм. После отжига в кислороде в Si вблизи поверхности обнаружена фаза ZnO · Zn2SiO4, а на глубине 50 нм фаза Zn · ZnO. |
| Ключевые слова | кремний |
|
цинк ионное легирование наночастицы металлов преципитаты оже-электронная спектрокопия кислород |
|
|
Кириленко, Е. П. Горячев, А. Н. Батраков, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 187-192 |
|
| Имя макрообъекта | Привезенцев_исследование |
| Тип документа | b |
