Поиск

Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V[2]O[5]

Авторы: Никитин, С. Е. Нащёкин, А. В Нащекин, А. В. Терукова, Е. Е. Трапезникова, И. Н. Бобыль, А. В. Вербицкий, В. Н.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/678461350
Дата корректировки 13:45:30 1 июля 2021 г.
DOI 10.21883/FTP.2017.01.44004.8292
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Автор Никитин, С. Е.
Заглавие Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V[2]O[5]
Физич. носитель Электронный ресурс
Texture of monocrystalline silicon surface oxidized under thin V[2]O[5] layer
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 15 назв.
Аннотация Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V[2]O[5]. Интенсивное окисление кремния на границе Si-V[2]O[5] начинается при температуре 903K, что на 200K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V[2]O[5]-Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO[2] в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903K через слой диоксида кремния (D >= 2 · 10{-15} см{2} · с{-1}). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V[2]O[5] через слой SiO[2] к кремнию и возникновении преципитатов SiO[x] в кремнии. После удаления слоев V[2]O[5] и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей.
Служебное примечание Нащёкин, А. В
Ключевые слова монокристаллический кремний
диоксид кремния
диффузное отражение света
анизотропное жидкостное травление
плазменное травление
фотолитография
Другие авторы Нащекин, А. В.
Терукова, Е. Е.
Трапезникова, И. Н.
Бобыль, А. В.
Вербицкий, В. Н.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 51, вып. 1. - С. 105-110
Имя макрообъекта Никитин_текстура
Тип документа b