| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Никитин, С. Е. |
| Заглавие | Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V[2]O[5] |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V[2]O[5]. Интенсивное окисление кремния на границе Si-V[2]O[5] начинается при температуре 903K, что на 200K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V[2]O[5]-Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO[2] в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903K через слой диоксида кремния (D >= 2 · 10{-15} см{2} · с{-1}). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V[2]O[5] через слой SiO[2] к кремнию и возникновении преципитатов SiO[x] в кремнии. После удаления слоев V[2]O[5] и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей. |
| Ключевые слова | монокристаллический кремний |
| Другие авторы | Нащекин, А. В. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 1. - С. 105-110 |
| Имя макрообъекта | Никитин_текстура |
