-
Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V[2]O[5]
Никитин, С. Е., Нащёкин, А. В, Нащекин, А. В., Терукова, Е. Е., Трапезникова, И. Н., Бобыль, А. В., Вербицкий, В. Н.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 1. - С. 105-110 .-
Никитин_текстура
-
Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля
Алешин, А. Н., Щербаков, И. П., Трапезникова, И. Н., Петров, В. Н.
Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 9. - С. 1818-1825 .-
Алешин_полевые
-
Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, a-SiO[x] : H (0 < x < 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе
Ундалов, Ю. К., Теруков, Е. И., Гусев, О. Б., Трапезникова, И. Н.
Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, a-SiO[x] : H (0 < x < 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 538-548 .-
Ундалов_получение
-
Термическая стабильность протонпроводящих силикафосфатных материалов, формируемых золь-гель методом
Ременюк, А. Д., Хамова, Т. В., Нечитайлов, А. А., Шилова, О. А., Томасов, А. А., Трапезникова, И. Н.
Термическая стабильность протонпроводящих силикафосфатных материалов, формируемых золь-гель методом, [Текст]
Электрохимия, 2009, Т.45, № 5.- С. 645-650
-
Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH[3]NH[3]PbBr[3]
Алешин, А. Н., Щербаков, И. П., Трапезникова, И. Н., Петров, В. Н.
Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH[3]NH[3]PbBr[3], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 12. - С. 2457-2461 .-
Алешин_полевые транзисторы
-
Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH[4]-Ar-O[2])-газовой фазой на рост ncl-Si в матрице a-SiO[x] : H (CO[2] = 15.5мол%)
Ундалов, Ю. К., Теруков, Е. И., Трапезникова, И. Н.
Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH[4]-Ar-O[2])-газовой фазой на рост ncl-Si в матрице a-SiO[x] : H (CO[2] = 15.5мол%) , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1137-1144
Ундалов_изучение
