Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/677255984 |
Дата корректировки | 14:44:03 17 июня 2021 г. |
DOI | 10.21883/FTP.2020.10.49952.9465 |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Марков, Л. К. | |
Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур Электронный ресурс |
|
Combination of Reactive Ion and Chemical Etching as a Method to Optimize the Surface Relief on AlGaInN Heterostructures | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
Аннотация | Комбинированным методом, при котором плазмохимическое травление применяется в паре с жидкостным (в растворах KOH или соляной кислоты), создавался рельеф на поверхности GaN, предварительно освобожденной от ростовой подложки. Изучалась зависимость получаемого рельефа от последовательности применяемых операций. Показано, что травление в растворе KOH с последующей стадией реактивного ионного травления обеспечивает появление на поверхности усеченных пустотелых конусов. В экспериментах также была обнаружена способность раствора соляной кислоты к травлению исключительно наноразмерных элементов рельефа GaN, возникающих при плазмохимическом травлении поверхности. Как следствие, плазмохимическое травление образца с последующим погружением в раствор соляной кислоты создает на его поверхности объекты цилиндрической формы, переходящие в основании в конические или сильно искаженные пирамидальные структуры. Появление рельефа такого вида может быть объяснено превалированием химической составляющей плазмохимического травления по мере удаления от поверхности образца. Дальнейшая оптимизация параметров рельефа, получаемого в результате комбинированного травления, возможна благодаря варьированию режимов применяемых операций. |
Ключевые слова | нитрид галлия |
оптимизация рельефа рельеф реактивное ионное травление плазмохимическое травление жидкостное травление светоизлучающие диоды светоизлучающие кристаллы гетероструктуры |
|
Смирнова, И. П. Кукушкин, М. В. Павлюченко, А. С. |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1106-1111 |
|
Имя макрообъекта | Марков_комбинация |
Тип документа | b |