Поиск

Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм

Авторы: Уточкин, В. В. Дубинов, А. А. Кудрявцев, К. Е. Гавриленко, В. И. Куликов, Н. С. Фадеев, М. А. Румянцев, В. В. Михайлов, Н. Н. Дворецкий, С. А. Морозов, С. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/677253876
Дата корректировки 14:16:21 17 июня 2021 г.
DOI 10.21883/FTP.2020.10.49962.44
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Кушков, Л. А.
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм
Электронный ресурс
Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures in the 3-5 µm atmospheric transparency window
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 25 назв.
Аннотация В гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe в области длин волн 3-4мкм выполнены исследования стимулированного излучения на межзонных переходах в зависимости от длины волны накачки. Минимальное значение пороговой плотности мощности и максимальная температура, при которых удается получить стимулированное излучение, соответствуют энергиям кванта накачки вблизи ширины запрещенной зоны барьеров. В структуре с толщиной покровного слоя 150 нм при непрерывной накачке и температурах выше 200K было обнаружено структурное уширение спектра излучения, связываемое с проявлением эффекта Штарка, возникающего из-за влияния электрического поля области пространственного заряда поверхностного барьера.
Алешкин, В. Я
Ключевые слова гетероструктуры
квантовые ямы
стимулированное излучение
окно прозрачности атмосферы
эффект Штарка
кадмий
ртуть
теллур
полупроводниковые лазеры
молекулярная диодная лазерная спектроскопия
Уточкин, В. В.
Алёшкин, В. Я
Дубинов, А. А.
Кудрявцев, К. Е.
Гавриленко, В. И.
Куликов, Н. С.
Фадеев, М. А.
Румянцев, В. В.
Михайлов, Н. Н.
Дворецкий, С. А.
Разова, А. А.
Морозов, С. В.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 54, вып. 10. - С. 1163-1168
Имя макрообъекта Кушков_исследование
Тип документа b