Поиск

Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами

Авторы: Климов, А. Э. Акимов, А. Н. Голяшов, В. А. Ищенко, Д. В. Неизвестный, И. Г. Сидоров, Г. Ю. Супрун, С. П. Тарасов, А. С. Терещенко, О. Е. Эпов, В. С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/676553062
Дата корректировки 11:28:26 9 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.10.49955.29
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Климов, А. Э.
Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
Электронный ресурс
Features of MIS structures based on insulating PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion due to their ferroelectric properties
Иллюстрации/ тип воспроизводства цв. ил.
Библиография Библиогр.: 19 назв.
Аннотация Исследованы характеристики МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей могут быть вызваны сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри.
Ключевые слова МДП-структуры
твердые растворы
эффект поля
сегнетоэлектрический фазовый переход
молекулярно-лучевая эпитаксия
Акимов, А. Н.
Ахундов, И. О.
Голяшов, В. А.
Горшков, Д. В.
Ищенко, Д. В.
Матюшенко, Е. В.
Неизвестный, И. Г.
Сидоров, Г. Ю.
Супрун, С. П.
Тарасов, А. С.
Терещенко, О. Е.
Эпов, В. С.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 10. - С. 1122-1128
Имя макрообъекта Климов_особенности
Тип документа b