-
Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
Климов, А. Э., Акимов, А. Н., Голяшов, В. А., Ищенко, Д. В., Неизвестный, И. Г., Сидоров, Г. Ю., Супрун, С. П., Тарасов, А. С., Терещенко, О. Е., Эпов, В. С.
Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1122-1128
Климов_особенности
-
Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
Акимов, А. Н., Ахундов, И. О., Ищенко, Д. В., Климов, А. Э., Неизвестный, И. Г., Пащин, Н. С., Супрун, С. П., Тарасов, А. С., Терещенко, О. Е., Федосенко, Е. В.
Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 8. - С. 796-800 .-
Акимов_знакопеременная
-
Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
Ищенко, Д. В., Неизвестный, И. Г.
Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 694-698
Ищенко_излучательная
-
Твердый раствор PbSnTe : In - уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
Ищенко, Д. В., Климов, А. Э., Шумский, В. Н., Эпов, В. С.
Твердый раствор PbSnTe : In - уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1662-1668
Ищенко_твердый
