| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676375466 |
| Дата корректировки | 10:10:33 7 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.08.49645.9356 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Силаков, Г. О. | |
|
Влияние температуры формирования на морфологию por-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления Электронный ресурс |
|
| Influence of formation temperature on morphology of por-Si, formed by Pd-assisted chemical etching | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H[2]O[2]. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO[2]). |
| Ключевые слова | пористый кремний |
|
металл-стимулированое травление наночастицы палладия кремний палладий контакт Шоттки полирующее травление |
|
|
Воловликова, О. В. Гаврилов, С. А. Железнякова, А. В. Дудин, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 743-747 |
|
| Имя макрообъекта | Силаков_влияние |
| Тип документа | b |
