| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние температуры формирования на морфологию por-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H[2]O[2]. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO[2]). |
| Ключевые слова | пористый кремний |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 743-747 |
|
| Имя макрообъекта | Силаков_влияние |
