| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676134684 |
| Дата корректировки | 16:16:36 4 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.08.49649.9338 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Окулич, Е. В. | |
|
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий Электронный ресурс |
|
| Calculation of silicon amorphization doses at irradiation with light ions of medium energy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | На основе ранее предложенной диффузионно-коагуляционной модели дефектообразования при ионном облучении кремния путем численного решения соответствующих кинетических уравнений рассчитаны дозы аморфизации (Ф[am]) для ионов средних энергий с массой M[1] <= 31 а.е.м. Предполагается, что аморфизация на данной глубине происходит при дозе, при которой достигается некоторая пороговая величина суммарной концентрации вакансий и дивакансий (Cam). Варьируемыми параметрами при расчетах являлись: энергия ионов, плотность ионного тока, температура, а также пороговая энергия смещения атома (Ed) и Cam. Определены границы примененимости диффузионно-коагуляционной модели. Сравнение полученных результатов расчетов, проведенных в этих границах, с опубликованными экспериментальными данными показало (с учетом вариации экспериментальных данных и определенной свободы выбора параметров Ed и Cam) удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных значений Ф[am]. |
| Ключевые слова | кремний |
|
облучение легкими ионами диффузионно-коагуляционная модель дефектообразования расчет доз аморфизации аморфизация ионно-облученные полупроводники полупроводники |
|
|
Окулич, В. И. Тетельбаум, Д. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 771-777 |
|
| Имя макрообъекта | Окулич_расчет |
| Тип документа | b |
