| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676132578 |
| Дата корректировки | 14:42:35 4 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.08.49629.05 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Звонков, Б. Н. | |
|
Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| The formation of carbon layers by thermal decomposition of carbon tetrachloride in the reactor MOCVD epitaxy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Разработан новый метод осаждения углеродных пленок термическим разложением четыреххлористого углерода (CCl4) в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. Результаты исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света позволяют предположить, что полученные этим методом углеродные слои представляют собой разупорядоченный нанокристаллический графит. Показана возможность использования такого углеродного слоя в технологическом цикле создания арсенид-галлиевых приборных структур оптоэлектроники (в частности, спиновых светоизлучающих диодов с инжектором CoPt). |
| Ключевые слова | углеродные пленки |
|
МОС-гидридная эпитаксия термическое разложение четыреххлористый углерод спектроскопия светоизлучающие диоды полупроводниковые структуры |
|
|
Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Дорохин, М. В. Демина, П. Б. Дроздов, М. Н. Здоровейщев, А. В. Крюков, Р. Н. Нежданов, А. В. Антонов, И. Н. Планкина, С. М. Темирязева, М. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 801-806 |
|
| Имя макрообъекта | Звонков_формирование |
| Тип документа | b |
