| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676034793 |
| Дата корректировки | 11:31:36 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.06.49386.9353 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Марков, Л. К. | |
|
Модификация рельефа n-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении Электронный ресурс |
|
| Modification of n-surface relief by changing the gas mixture composition during reactive ion etching of AlGaInN LEDs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Исследовалась зависимость рельефа, возникающего на освободившейся после удаления ростовой подложки поверхности светодиодной гетероструктуры, от состава газовой смеси, применявшейся в процессе реактивного ионного травления светодиодных гетероструктур состава AlGaInN. Показано, что использование смеси, состоящей из Cl[2] и Ar в соотношении 3 : 2 по скорости потоков приводит к наиболее тонкому рельефу, а газовая смесь BCl[3] и Ar в соотношении 2 : 1 обеспечивает наибольшие по размеру элементы структуры. Для изучения влияния характера рельефа на квантовый выход светодиодов были изготовлены серии флип-чип светодиодов на кремниевой подложке, которые после удаления ростовой подложки подвергались травлению в разных режимах. Оптимальным для достижения максимального вывода излучения из светодиодного кристалла с длиной волны собственного излучения 460 нм оказалось травление в смеси Cl[2] : BCl[3] : Ar в соотношении потоков 6 : 10 : 11, приводящее к промежуточным значениям размеров элементов рельефа травления. Изменение характера рельефа в зависимости от состава газовой смеси дает основания предполагать возможность подстройки параметров рельефа под используемую длину волну излучения. Изучение зависимости квантового выхода светодиодных кристаллов от времени травления в рассмотренной трехкомпонентной смеси приводит к оценке оптимального времени травления в районе 30 мин. Результаты настоящей работы могут быть полезны также при поиске условий минимизации отражения кристаллом падающего излучения, например, для фотоприемников. |
| Ключевые слова | светоизлучающие диоды |
|
светодиоды светодиодные кристаллы светоизлучающие кристаллы рельеф поверхности реактивное ионное травление ионное травление флип-чип конструкция нитрид галлия |
|
|
Смирнова, И. П. Кукушкин, М. В. Павлюченко, А. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 6. - С. 564-568 |
|
| Имя макрообъекта | Марков_модификация |
| Тип документа | b |
