| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676028791 |
| Дата корректировки | 9:50:00 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.06.49392.9252 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галашев, А. Е. | |
|
Электронные свойства пленок силицена, подвергнутых нейтронному легированию Электронный ресурс |
|
| Electronic properties of silicene films subjected to neutron doping | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| Аннотация | Радиационное легирование фосфором монокристаллического кремния сохраняет структуру образца, снижает внутренние напряжения, повышает время жизни неосновных носителей заряда. Настоящая работа посвящена исследованию влияния добавок фосфора на электронные свойства силицена. Квантово-механическим методом рассчитаны спектры плотности электронных состояний легированного фосфором однослойного и двухслойного силицена 2 * 2 на графитовой подложке. Присутствие углеродной подложки придает силицену проводниковые свойства вследствие p-p-гибридизации. Легирование фосфором может сохранить или изменить приобретенные силиценом металлические свойства. Местоположение легирующих атомов фосфора в силицене влияет на прохождение перехода полупроводник-проводник. Теоретическая удельная емкость легированного фосфором силиценового электрода снижается, и он становится менее эффективным для применения в литий-ионных батареях. Однако увеличение проводимости этого материала способствует его использованию в качестве солнечных элементов. |
| Воробьёв, А. С. | |
| Ключевые слова | пленки силицена |
|
нейтронное легирование легирование графит силицен фосфор электронные состояния полупроводники-проводники кремниевые пленки |
|
| Воробьев, А. С. | |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 6. - С. 533-541 |
|
| Имя макрообъекта | Галашев_электронные |
| Тип документа | b |
