| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675939838 |
| Дата корректировки | 9:06:47 2 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.05.49269.9340 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Болотов, В. В. | |
|
Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния Электронный ресурс |
|
| Formation of multilayer structures with integrated membranes based on porous silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Получены многослойные интегрированные пористые мембраны в монолитном обрамлении, содержащие пористый кремний двух типов: макропористый с диаметрами пор до 10 мкм, канальный с диаметрами каналов от 100 до 300 нм. Предложена лабораторная технология получения двухслойных структур макропористый/канальный кремний с использованием подложек высокоомного n-Si (1Ом · см). Обсуждается механизм порообразования и его влияние на морфологию пористых слоев для электролитов с использованием муравьиной кислоты и гидроксида аммония. |
| Служебное примечание | Пономарёва, И. В. |
| Ключевые слова | пористый кремний |
|
электрохимическое травление электронная микроскопия многослойные структуры мембраны интегрированные мембраны |
|
|
Ивлев, К. Е. Князев, Е. В. Пономарева, И. В. Росликов, В. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 504-509 |
|
| Имя макрообъекта | Болотов_формирование |
| Тип документа | b |
