Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/675876748 |
Дата корректировки | 15:38:31 1 июня 2021 г. |
10.21883/FTP.2020.04.49149.9333 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Шашкин, И. С. | |
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом Электронный ресурс |
|
Light characteristics of narrow-stripe high-power semiconductor lasers (1060 nm) based on asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructures with a broad waveguide | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
Аннотация | Исследованы излучательные характеристики лазеров с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.5 мкм) на основе асимметричных AlGaAs/GaAs гетероструктур. Показано, что максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена тепловым разогревом и достигает 1695 мВт на токе 2350 мА при 25°C, а максимальный кпд достигает 54.8%. Понижение рабочей температуры до -8°C позволило повысить максимальную непрерывную мощность в маломодовом режиме до 2 Вт. При накачке импульсами тока длительностью 240 нс и амплитудой 4230 мА была получена пиковая мощность 2930 мВт. Показано, что в импульсном режиме существует область "оптического провала", в которой наблюдается низкоэффективная лазерная генерация с режимом генерации периодической последовательности лазерных импульсов суб-нс длительности. |
Золотарёв, В. В. Копьёв, П. С. |
|
Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
одномодовые лазеры оптические провалы моды высшего порядка пиковая мощность гетероструктуры |
|
Лешко, А. Ю. Николаев, Д. Н. Шамахов, В. В. Рудова, Н. А. Бахвалов, К. В. Лютецкий, А. В. Капитонов, В. А. Золотарев, В. В. Слипченко, С. О. Пихтин, Н. А. Копьев, П. С. |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 408-413 |
|
Имя макрообъекта | Шашкин_излучательные |
Тип документа | b |