Поиск

Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом

Авторы: Шашкин, И. С. Золотарёв, В. В. Николаев, Д. Н. Шамахов, В. В. Бахвалов, К. В. Лютецкий, А. В. Золотарев, В. В. Слипченко, С. О. Пихтин, Н. А. Копьев, П. С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/675876748
Дата корректировки 15:38:31 1 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.04.49149.9333
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Шашкин, И. С.
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Электронный ресурс
Light characteristics of narrow-stripe high-power semiconductor lasers (1060 nm) based on asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructures with a broad waveguide
Иллюстрации/ тип воспроизводства цв. ил.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
Аннотация Исследованы излучательные характеристики лазеров с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.5 мкм) на основе асимметричных AlGaAs/GaAs гетероструктур. Показано, что максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена тепловым разогревом и достигает 1695 мВт на токе 2350 мА при 25°C, а максимальный кпд достигает 54.8%. Понижение рабочей температуры до -8°C позволило повысить максимальную непрерывную мощность в маломодовом режиме до 2 Вт. При накачке импульсами тока длительностью 240 нс и амплитудой 4230 мА была получена пиковая мощность 2930 мВт. Показано, что в импульсном режиме существует область "оптического провала", в которой наблюдается низкоэффективная лазерная генерация с режимом генерации периодической последовательности лазерных импульсов суб-нс длительности.
Золотарёв, В. В.
Копьёв, П. С.
Ключевые слова полупроводниковые лазеры
одномодовые лазеры
оптические провалы
моды высшего порядка
пиковая мощность
гетероструктуры
Лешко, А. Ю.
Николаев, Д. Н.
Шамахов, В. В.
Рудова, Н. А.
Бахвалов, К. В.
Лютецкий, А. В.
Капитонов, В. А.
Золотарев, В. В.
Слипченко, С. О.
Пихтин, Н. А.
Копьев, П. С.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 4. - С. 408-413
Имя макрообъекта Шашкин_излучательные
Тип документа b