| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675531978 |
| Дата корректировки | 15:49:34 28 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.02.48903.9266 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калинина, Е. В. | |
|
Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника Электронный ресурс |
|
| Effect of temperature on the characteristics of 4H-SiC UV photodetectors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Выявлено и объяснено в рамках теории фотопроводимости влияние концентрации носителей заряда в диапазоне (1-50) · 10{14} см{-3} в n-4H-SiC CVD эпитаксиальных слоях на спектральные характеристики ультрафиолетовых фотоприемников c Сr-барьерами Шоттки в интервале 200-400 нм. Барьеры Шоттки с толщиной пленки Cr 20 нм и диаметром 8 мм формировались термовакуумным напылением через маски. Наблюдалось заметное влияние концентрации носителей заряда в CVD эпитаксиальных слоях на спектральные характеристики фотоприемников при нагреве до 200°С, что объясняется различием генерационно-рекомбинационных процессов. Облучение фотоприемников протонами с энергией 15МэВ флюенсом 4 · 10{12} см{-2} при температуре 200°С приводило к возрастанию квантовой эффективности по сравнению с образцами, облученными в аналогичных режимах при 25°С. Это свидетельствует о возрастании радиационного и временного ресурсов 4H-SiC-приборов при повышенных температурах. |
| Лёвина, С. А. | |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
облучение протоны квантовая эффективноcть флюенc барьеры Шоттки полупроводниковая электроника фотоприемники |
|
|
Виолина, Г. Н. Никитина, И. П. Иванова, Е. В. Забродский, В. В. Шварц, М. З. Левина, С. А. Николаев, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 195-200 |
|
| Имя макрообъекта | Калинина _влияние |
| Тип документа | b |
