| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675442574 |
| Дата корректировки | 14:58:38 27 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.01.48780.9257 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Белоновский, А. В. | |
|
Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы Электронный ресурс |
|
| Strong coupling of excitons in hexagonal GaN microcavities | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Методом селективной газофазной эпитаксии выращены плоские микрорезонаторы GaN гексагональной формы. Проводилось измерение спектров низкотемпературной катодолюминесценции на сканирующем электронном микроскопе. В полученных спектрах видно огромное расщепление Раби (~ 100 мэВ). Выполнено численное моделирование распределения интенсивности мод резонатора гексагональной формы. Некоторые моды могут иметь сильную пространственную локализацию, приводящую к сильной связи с экситоном и огромному расщеплению Раби. Теоретически мы рассчитали долю экситонов в поляритонных модах, которая коррелирует с интенсивностью экситонного излучения, связанного с этими модами, для микрорезонаторов гексагональной формы. Таким образом, получен вид зависимости вероятности излучения от собственных частот структуры. |
| Ключевые слова | расщепление Раби |
|
экситоны нитрид галлия микрорезонаторы |
|
|
Позина, Г. Левитский, Я. В. Морозов, К. М. Митрофанов, М. И. Гиршова, Е. И. Иванов, К. А. Родин, С. Н. Евтихиев, В. П. Калитеевский, М. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 1. - С. 85-88 |
|
| Имя макрообъекта | Белоновский_сильная |
| Тип документа | b |
