| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675360594 |
| Дата корректировки | 16:16:00 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пузанов, А. С. | |
|
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии Электронный ресурс |
|
| Influence of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation defect clusters on charge carriers transport through the heterojunction bipolar transistor thin base at neutron irradiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Проведен анализ переноса электронов через тонкую базу гетеробиполярного транзистора на основе GaAs с учетом флуктуаций пространственного распределения кластеров радиационных дефектов при облучении потоком мгновенных нейтронов спектра деления. Теоретически показано, что однородное заполнение кластерами радиационных дефектов рабочей области приводит к минимальной деградации коэффициента усиления гетеробиполярного транзистора по постоянному току. |
| Ключевые слова | кластеры радиационных дефектов |
|
гетеробиполярные транзисторы нейтронное воздействие полупроводниковые структуры субмикрометровые полупроводниковые приборы арсенид галлия |
|
|
Оболенский, С. В. Козлов, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 12. - С. 1706-1712 |
|
| Имя макрообъекта | Пузанов_влияние |
| Тип документа | b |
