| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674912708 |
| Дата корректировки | 11:52:43 21 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Асрян, Л. В. | |
|
Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний Электронный ресурс |
|
| Theory of power characteristics of quantum well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron and hole states filling | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Рассчитаны мощностные характеристики нового вида инжекционных лазеров - лазеров на квантовой яме (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Использована обобщенная модель, учитывающая асимметрию заполнения электронных и дырочных состояний. Показано, что электронно-дырочная асимметрия не влияет существенным образом на характеристики АБС лазеров - даже в присутствии промежуточных слоев (располагающихся между КЯ и каждой из двух АБС), в которых имеет место паразитная электронно-дырочная рекомбинация, внутренняя дифференциальная квантовая эффективность АБС лазера на КЯ слабо зависит от тока накачки и остается близкой к единице, а следовательно, ватт-амперная характеристика остается линейной при высоких уровнях накачки. |
| Ключевые слова | мощностные характеристики лазеров |
|
инжекционные лазеры полупроводниковые лазеры электронно-дырочная асимметрия асимметричные барьерные слои |
|
|
Зубов, Ф. И. Крыжановская, Н. В. Максимов, М. В. Жуков, А. Е. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1380-1386 |
| Имя макрообъекта | Асрян_теория |
| Тип документа | b |
