| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670937261 |
| Дата корректировки | 11:34:30 5 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ситников, С. В. | |
|
Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации Электронный ресурс |
|
| Atomic step on ultra-flat Si(111) surface at sublimation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии in situ проведены исследования кинетики атомных ступеней на ультраплоской поверхности кремния (111) при температурах 1050-1350°C. Впервые экспериментально показано, что скорость смещения атомной ступени при сублимации нелинейным образом зависит от ширины прилегающей к ступени террасы. Установлено, что атомный механизм процессов массопереноса на поверхности кремния при температурах выше 1200°C определяется зарождением и диффузией поверхностных вакансий, а не адсорбированных атомов кремния. Проведенные исследования позволили оценить энергию активации процесса растворения вакансии с поверхности в объем кремния, которая составила (4.3 ± 0.05) эВ. |
| Ключевые слова | сублимация |
|
кинетика атомных ступеней кремний (111) массоперенос полупроводники |
|
|
Латышев, А. В. Косолобов, С. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 607-611 |
| Имя макрообъекта | Ситников_атомные |
| Тип документа | b |
