| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670779596 |
| Дата корректировки | 15:55:26 3 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Егоров, А. Ю. | |
|
Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400нм Электронный ресурс |
|
| Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with quantum wells InAs/InGaAs radiating in the spectral range 1250-1400 nm | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Показана возможность создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм. Исследованы структурные и оптические свойства методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Проведeнный сравнительный анализ интегральной интенсивности фотолюминесценции созданных гетероструктур и эталонного образца подтвердил высокую эффективность излучательной рекомбинации в созданных гетероструктурах. Отсутствие проникновения дислокаций в активную область метаморфных гетероструктур, где происходит процесс излучальной рекомбинации носителей заряда, подтверждено методом просвечивающей электронной микроскопии. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
арсенид галлия арсенид индия молекулярно-пучковая эпитаксия рентгеновская дифракция фотолюминесценция электронная микроскопия полупроводниковые лазеры |
|
|
Карачинский, Л. Я. Новиков, И. И. Бабичев, А. В. Неведомский, В. Н. Бугров, В. Е. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 624-627 |
| Имя макрообъекта | Егоров_оптические |
| Тип документа | b |
