| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670688015 |
| Дата корректировки | 14:25:51 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Гук, И. В. |
|
Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния Электронный ресурс |
|
| The role of heat accumulation effect in the multipulse modes of femtosecond laser silicon microstructuring | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Представлены к обсуждению результаты количественной оценки эффекта накопления тепла при фемтосекундной лазерной структуризации поверхности кремния. В расчетах применен численно-аналитический метод, в рамках которого динамика электронных процессов и нагрев решетки моделируются численным методом, а стадия остывания описывается на основе аналитического решения. Исследовано влияние многоимпульсного облучения на изменение температуры поверхности: в электронной подсистеме - зависимости коэффициента поглощения от концентрации возбужденных носителей и зависимости поглощательной способности от температуры электронного газа; в решеточной подсистеме - изменение от импульса к импульсу поглощательной способности. Показано, что в низкочастотном режиме следования импульсов, характерном для фемтосекундной микроструктуризации кремния, эффект накопления тепла определяется не остаточной температурой поверхности к приходу следующего импульса, что соответствует традиционным представлениям, а ростом от импульса к импульсу максимального значения температуры, с которой начинается остывание. Накопление остаточной температуры поверхности может сказаться на процессе микроструктурирования при облучении вблизи порога испарения либо при увеличении частоты следования импульсов. |
| Ключевые слова | лазерная фемтосекундная структуризация |
|
кремний фемтосекундная микроструктуризация наноструктуризация поверхности эффект накопления тепла металлы полупроводники |
|
| Другие авторы | Шандыбина, Г. Д. |
| Яковлев, Е. Б. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 706-710 |
| Имя макрообъекта | Гук_роль |
| Тип документа | b |
