| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670583036 |
| Дата корректировки | 16:29:08 1 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бенеманская, Г. В. | |
|
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111) Электронный ресурс |
|
| Induced surface states of the ultrathin Ba/3C-SiC(111) interface | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC(111) методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий 80-450 эВ. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при ультратонких Ва-покрытиях на образцах SiC(111), выращенных новым методом замещения атомов подложки. Обнаружено, что Ва-адсорбция вызывает появление индуцированных поверхностных состояний с энергиями связи 1.9, 6.2 и 7.5 эВ. Эволюция поверхностных состояний и спектров остовных уровней Si 2p и C1[s] показывает, что формирование интерфейса Ba/SiC происходит за счет переноса заряда от адатомов Ba к поверхностным атомам кремния и нижерасположенным атомам углерода. |
| Ключевые слова | фотоэлектронная спектроскопия |
|
спектроскопия тугоплавкие полупроводники карбид кремния сверхтонкие интерфейсы эпитаксиальные пленки полупроводниковые приборы |
|
|
Дементьев, П. А. Кукушкин, С. А. Лапушкин, М.Н. Сеньковский, Б. В. Тимошнев, С. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 465-469 |
| Имя макрообъекта | Бенеманская_индуцированные |
| Тип документа | m |
