-
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М.Н., Сеньковский, Б. В., Тимошнев, С. Н.
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 465-469 .-
Бенеманская_индуцированные
-
Интеркаляционный синтез силицида кобальта под слоем графена
Гребенюк, Г. С., Гомоюнова, М. В., Вилков, О. Ю., Сеньковский, Б. В., Пронин, И. И.
Интеркаляционный синтез силицида кобальта под слоем графена, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 10. - С. 2059-2064 .-
Гребенюк_интеркаляционный
-
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4°
Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М. Н., Осипов, А. В., Сеньковский, Б. В.
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4° , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 10. - С. 1348-1352
Бенеманская_спектроскопия
