| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670505821 |
| Дата корректировки | 11:45:33 31 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Чубенко, Е. Б. | |
|
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний Электронный ресурс |
|
| The influence of surface layer on the electrochemical deposition of metals and semiconductors into porous silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением. |
| Ключевые слова | электрохимическое осаждение |
|
полупроводники металлы мезопористый кремний кремний никель оксид цинка нанокомпозитные материалы |
|
|
Редько, С. В. Шерстнев, А. И. Петрович, В. А. Котов, Д. А. Бондаренко, В. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 377-381 |
| Имя макрообъекта | Чубенко_влияние |
| Тип документа | b |
