| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением. |
| Ключевые слова | электрохимическое осаждение |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 377-381 |
| Имя макрообъекта | Чубенко_влияние |
