| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669891196 |
| Дата корректировки | 9:04:20 24 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хабибуллин, Р. А. | |
|
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs{1} Электронный ресурс |
|
| Electron transport and optical properties of the structures with nanowires of tin atoms on vicinal GaAs substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование электронного транспорта и оптических свойств в структурах с нанонитями из атомов олова (Sn-НН) на вицинальных подложках GaAs с углами разориентации 0.3 и 3° относительно точной ориентации (100). На вольт-амперных характеристиках образцов обнаружена анизотропия тока насыщения при протекании тока вдоль и поперек Sn-НН. В реальном масштабе времени проведены исследования колебаний тока в зависимости от тянущего напряжения и светового воздействия при протекании тока перпендикулярно Sn-НН. Показана явная анизотропия частотных характеристик PHEMT. |
| Ключевые слова | электронный транспорт |
|
нанонити атомы олова арсенид галлия анизотропия тока насыщения полупроводники фотолюминесценция |
|
|
Ячменев, А. Э. Лаврухин, Д. В. Пономарев, Д. С. Бугаев, А. С. Мальцев, П. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 185-190 |
| Имя макрообъекта | Хабибуллин_электронный |
| Тип документа | b |
