| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669569308 |
| Дата корректировки | 15:36:59 20 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.385.833.2 |
| Дунаев, А. В. | |
|
Исследование поверхности GaAs после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии Электронный ресурс |
|
| Investigation of GaAs surface after etching in RF and glow discharge plasmas by atomic force microscopy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование качества поверхности полупроводниковой структуры после плазмохимического травления в плазме смесей HCl/Ar, HCl/Cl[2], HCl/H[2] и плазме фреона R12. Показано, что оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси хлористого водорода с аргоном. В смесях с водородом скорости травления слишком малы при хорошем качестве поверхности, а в смесях с хлором из-за больших скоростей травления шероховатость поверхности превышает допустимые в технологии значения. Высокочастотный разряд в фреоне R12 можно эффективно использовать для травления полупроводников, обеспечивая технологически приемлемые скорости взаимодействия, при этом сохраняя равномернуюи чистую поверхность. |
| Пивоварёнок, С. А. | |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
|
атомно-силовая микроскопия плазмохимическое травление полупроводники плазма хлороводорода хлороводород микроэлектроника |
|
|
Мурин, Д. Б. Пивоваренок, С. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 2. - С. 167-170 |
|
| Имя макрообъекта | Дунаев_исследование |
| Тип документа | b |
