Поиск

Исследование поверхности GaAs после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии

Авторы: Дунаев, А. В. Пивоварёнок, С. А. Мурин, Д. Б. Пивоваренок, С. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.385.833.2
Исследование поверхности GaAs после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии
Электронный ресурс
Ключевые слова арсенид галлия
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 2. - С. 167-170
Имя макрообъекта Дунаев_исследование