| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669287457 |
| Дата корректировки | 11:16:46 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.383.8 |
| Емельянов, В. М. | |
|
Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм Электронный ресурс |
|
| Simulation of ohmic losses in laser beam photoconverters for wavelengths of 809 and 1064 nm | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Методом математического моделирования исследовано влияние характеристик эпитаксиальной струк- туры и контактной сетки фотопреобразователей лазерного излучения на уровень омических потерь в них. Определены предельно достижимые значения кпд при гауссовом распределении освещенности на поверхности фотопреобразователя и при плотностях темновых токов p.n-переходов, характерных для структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Предложен подход к нахождению оптимальных параметров фотопреобразователей на основе GaAs и In0.24Ga0.76As/GaAs в зависимости от преобразуемой ими оптической мощности, и определены параметры структур для мощностей 5, 20, 50 Вт и длин волн 809, 1064 нм. Установлено, что при мощностях лазерного излучения до 5 Вт достижим кпд > 60% при преобразовании излучения с длиной волны 809 нм и > 55% при преобразовании излучения с длиной волны 1064 нм. |
| Ключевые слова | фотопреобразователи лазерного излучения |
|
лазерное излучение математическое моделирование омические потери фотоэлектрическое преобразование |
|
|
Минтаиров, С. А. Сорокина, С. В. Хвостиков, В. П. Шварц, М. З. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 1. - С. 125-131 |
| Имя макрообъекта | Емельянов_моделирование |
| Тип документа | b |
