Поиск

Низкочастотная электроемкость полупроводникового диода с прыжковой электропроводностью по трехрядным дефектам

Авторы: Поклонский, Н. А. Ковалев, А. И. Вырко, С. А.
Краткая информация
Маркер записи n 22 4500
Контрольный номер RU/IS/BASE/557853050
Дата корректировки 9:22:55 29 ноября 2017 г.
Кодируемые данные 171031s2017||||by |||||||||||000|||rus||
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Белорусского государственного университета
БелАР
Код языка каталог. rus
rus
rus
Индекс УДК 517.9
Индекс ББК 22.161.6
070
z01710
Поклонский, Н. А.
доктор физико-математический наук
Николай Александрович
Низкочастотная электроемкость полупроводникового диода с прыжковой электропроводностью по трехрядным дефектам
Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, С. А. Вырко
Библиография Библиогр.: с. 58-59 (16 назв. )
Аннотация Теоретически рассчитана емкость полупроводникового диода.
Основная рубрика Математика
Дифференциальные и интегральные уравнения
Ключевые слова трехзарядные радиационные дефекты
радиационные дефекты
прыжковая миграция электронов
полупроводниковый диод
дифференциальная электрическая емкость
070
Ковалев, А. И.
Александр Игоревич
070
z02710
Вырко, С. А.
кандидат физико-математических наук
Сергей Александрович
z01100
Белорусский государственный университет
z02700
Белорусский государственный университет
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 61, № 4. - С. 52-59
Название источника Доклады Национальной академии наук Беларуси
ISSN 1561-8323
RU
863
Тип документа b
Физика