Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Поклонский, Н. А.

Статьи. Автор - Поклонский, Н. А.

• Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках
  Поклонский, Н. А., Ковалев, А. И., Вырко, С. А.
  
  Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках, Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, С. А. Вырко 2014 .- Т. 58, № 3. - С. 37-43 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-
• Низкочастотная электроемкость полупроводникового диода с прыжковой электропроводностью по трехрядным дефектам
  Поклонский, Н. А., Ковалев, А. И., Вырко, С. А.
  
  Низкочастотная электроемкость полупроводникового диода с прыжковой электропроводностью по трехрядным дефектам, Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, С. А. Вырко 2017 .- Т. 61, № 4. - С. 52-59 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-
• Оптические и парамагнитные свойства поликристаллических CVD-алмазов, имплантированных ионами дейтерия
  Хомич, А. В., Хмельницкий, Р. А., Поклонский, Н. А., Лапчук, Н. М., Хомич, А. А., Дравин, В. А., Поклонская, О. Н., Ашкинази, Е. Е., Власов, И. И., Ральченко, В. Г.
  
  Оптические и парамагнитные свойства поликристаллических CVD-алмазов, имплантированных ионами дейтерия, [Текст] ил. Журнал прикладной спектроскопии, 2012, Т. 79, № 4. - С. 615-624
• Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах
  Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Деревяго, А. Н.
  
  Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 544-553 Поклонский_квазиклассическая
• Излучательный распад триона в квантовой яме полупроводниковой гетероструктуры
  Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Сягло, А. И., Деревяго, А. Н.
  
  Излучательный распад триона в квантовой яме полупроводниковой гетероструктуры, [[Текст]], Н. А. Поклонский [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2017 .- Т. 84, № 4. - С. 586-594 .-
• Структурированные углеродные материалы: кластеры, нанотрубки, ионно-имплантированные полимеры и алмазы
  Лапчук, Н. М., Оджаев, В. Б., Поклонский, Н. А., Свиридов, Д. В.
  
  Структурированные углеродные материалы: кластеры, нанотрубки, ионно-имплантированные полимеры и алмазы, [Текст] Ил.5 Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2009, № 1.- С. 4-14
• Комбинационное рассеяние света в имплантированных высокоэнергетическими ионами и в облученных быстрыми нейтронами кристаллах природного алмаза
  Поклонская, О. Н., Вырко, С. А., Хомич, А. А., Аверин, А. А., Хомич, А. В., Хмельницкий, Р. А., Поклонский, Н. А.
  
  Комбинационное рассеяние света в имплантированных высокоэнергетическими ионами и в облученных быстрыми нейтронами кристаллах природного алмаза, [Текст] ил. Журнал прикладной спектроскопии, 2014, Т. 81, № 6. - С. 879-887
• Методика оценки электропроводности небольших образцов каменного угля по их влиянию на сигнал спин-метки в резонаторе радиоспектрометра
  Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Поклонская, О. Н., Горбачук, Н. И., Сягло, А. И.
  
  Методика оценки электропроводности небольших образцов каменного угля по их влиянию на сигнал спин-метки в резонаторе радиоспектрометра, [Текст] ил. Приборы и методы измерений, 2014, № 2. - С. 53-59
• Термальная энергия активации прыжковой эпсилон[2]-электропроводности по атомам бора в слабо компенсированном кремнии
  Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Ковалев, А. И.
  
  Термальная энергия активации прыжковой эпсилон[2]-электропроводности по атомам бора в слабо компенсированном кремнии, Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. И. Ковалев 4 рис. 2018 .- Т. 62, № 4. - С. 406-414 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-
• Спин-фононный магнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах антимонида индия
  Поклонский, Н. А., Деревяго, А. Н., Вырко, С. А.
  
  Спин-фононный магнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах антимонида индия, Н. А. Поклонский, А. Н. Деревяго, С. А. Вырко // Журнал прикладной спектроскопии .- 2020 .- Т. 87, № 4. - С. 595-604 .-
• Спектры инфракрасного поглощения каменных углей различной степени углефикации
  Мунхцэцэг, С., Хомич, А. В., Поклонский, Н. А., Даваасамбуу, Ж.
  
  Спектры инфракрасного поглощения каменных углей различной степени углефикации, [Текст] Ил.3
• Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках
  Поклонский, Н. А., Ковалёв, А. И., Вырко, С.А., Ковалев, А. И., Забродский, А. Г.
  
  Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 302-311 .- Поклонский_квазиклассическая
• Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы
  Поклонский, Н. А., Деревяго, А. Н., Вырко, С. А., Ковалев, А. И.
  
  Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы, Н. А. Поклонский, А. Н. Деревяго, С. А. Вырко, А. И. Ковалев 2020 .-
• Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы
  Поклонский, Н. А., Деревяго, А. Н., Вырко, С. А., Ковалев, А. И.
  
  Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы, Н. А. Поклонский, А. Н. Деревяго, С. А. Вырко, А. И. Ковалев 2020 .-
• Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере p-Ge : Ga)
  Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Поклонская, О. Н., Забродский, А. Г.
  
  Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере p-Ge : Ga), [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 6. - С. 738-750 .- Поклонский_роль
• Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
  Поклонский, Н. А., Горбачук, Н. И., Во Куанг Нья, Шпаковский, С. В., Филипеня, В. А., Ластовский, С. Б., Скуратов, В. А.
  
  Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ, [Текст] ил., табл. Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2014, № 2. - С. 7-13
• Инвертирование сигнала электронного спинового резонанса каменных углей
  Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Поклонская, О. Н., Лапчук, Н. М., Мунхцэцэг, С.
  
  Инвертирование сигнала электронного спинового резонанса каменных углей, [Текст] Журнал прикладной спектроскопии, 2013, № 3. - С. 379-384
• Спектры фотолюминесценции центра 580 нм в радиационно-модифицированных алмазах
  Хомич, А. А., Хмельницкий, Р. А., Поклонская, О. Н., Аверин, А. А., Бокова-Сирош, С. Н., Поклонский, Н. А., Ральченко, В. Г., Хомич, А. В.
  
  Спектры фотолюминесценции центра 580 нм в радиационно-модифицированных алмазах, [[Текст]], А. А. Хомич [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2019 .- Т. 86, № 4. - С. 539-548 .-
• Полупроводниковый диод с прыжковой миграцией электронов по точечным дефектам кристаллической матрицы
  Поклонский, Н. А., Ковалев, А. И., Вырко, С. А., Власов, А. Т.
  
  Полупроводниковый диод с прыжковой миграцией электронов по точечным дефектам кристаллической матрицы, Н. А. Поклонский [и др.] 3 рис. 2017 .- Т. 61, № 3. - С. 30-37 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-