Индекс УДК | 517.9 |
Низкочастотная электроемкость полупроводникового диода с прыжковой электропроводностью по трехрядным дефектам Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, С. А. Вырко |
|
Аннотация | Теоретически рассчитана емкость полупроводникового диода. |
Ключевые слова |
трехзарядные радиационные дефекты радиационные дефекты прыжковая миграция электронов полупроводниковый диод дифференциальная электрическая емкость |
Место и дата издания | 2017 |
Прочая информация | Т. 61, № 4. - С. 52-59 |
Название источника | Доклады Национальной академии наук Беларуси |