Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
  Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Sledziewski, T., Решанов, С. А., Schoner, A., Krieger, M.
  
  Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 1. - С. 103-105 .- Михайлов_особенности
• Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
  Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Решанов, С. А., Schoner, A.
  
  Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 79-84 Михайлов_силовой