Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
Хананова, А. В., Оболенский, С. В.
Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1366-1372
Хананова_разработка