-
Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
Калинина, Е. В., Каташев, А. А., Виолина, Г. Н., Стрельчук, А. М., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В.
Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1368-1373
Калинина_структурные
-
Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах
Стрельчук, А. М., Лебедев, А. А., Булат, П. В.
Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 12. - С. 1364-1367 .-
Стрельчук_характеристики
-
Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
Калядин, А. Е., Соболев, Н. А., Стрельчук, А. М., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И.
Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 250-253 .-
Калядин_влияние
-
Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
Стрельчук, А. М., Козловский, В. В., Лебедев, А. А.
Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1651-1655
Стрельчук_характеристики
-
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD)
Козловский, В. В., Лебедев, А. А., Стрельчук, А. М., Давыдовская, К. С., Васильев, А. Э., Макаренко, Л. Ф.
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 311-316
Козловский_влияние
