-
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
Соболев, М. М., Солдатенков, Ф. Ю.
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 177-183
Соболев_влияние
-
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs p-i-n-структур
Соболев, М. М., Соболёв, М. М., Солдатенков, Ф. Ю.
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs p-i-n-структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1072-1078
Соболев_емкостная
-
Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования
Улин, В. П., Улин, Н. В., Солдатенков, Ф. Ю.
Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 481-496
Улин_анодные
-
Исследования глубоких уровней GaAs p-i-n-структур
Соболев, М. М., Солдатенков, Ф. Ю., Козлов, В. А.
Исследования глубоких уровней GaAs p-i-n-структур, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 941-945 .-
Соболев_исследования
