| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs p-i-n-структур Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней плавного высоковольтного Al[x]Ga[1-x]As p{0}-i-n{0}-перехода, изготовленного методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Обнаруженные изменения вольт-фарадных характеристик в зависимости от температуры измерения и оптической подсветки продемонстрировали, что в исследуемых AlxGa[1-x]As слоях p{0}-, i-, n{0}-типа содержатся бистабильные DX-центры. В спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), измеренных при различных напряжениях смещения V[r] и импульса заполнения V[f], в n{0}-слое выявлен положительный DLTS-пик с энергией термической активации E[t] = 280 мэВ и сечением захвата электронов, что является необычным для ловушки основных носителей. Этот пик связывается с отрицательно заряженным состоянием донорной примеси Se/Te, которое является бистабильным DX-центром с отрицательной энергией корреляции U. |
| Ключевые слова | емкостная спектроскопия |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1072-1078 |
|
| Имя макрообъекта | Соболев_емкостная |
