| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей Электронный ресурс |
|
| Ключевые слова | гетероэпитаксиальные структуры |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 177-183 |
|
| Имя макрообъекта | Соболев_влияние |
