| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687439503 |
| Дата корректировки | 11:29:51 13 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45440.8680 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соболев, М. М. | |
|
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей Электронный ресурс |
|
| Effect of dislocation deep levels in heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p-i-n structures on the relaxation time of nonequilibrium carriers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик, спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней p{+}-p{0}-i-n{0}-гомоструктур на основе нелегированных бездислокационных слоев GaAs, и гетероструктур InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs с однородными сетками дислокаций несоответствия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Для структуры на основе GaAs в эпитаксиальных p{0}- и n{0}-слоях были обнаружены дефекты акцепторного типа с глубокими уровнями, идентифицируемые как HL2 и HL5. В InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs гетероструктурах были выявлены электронные и дырочные глубокие уровни дислокаций, обозначаемые соответственно как ED1 и HD3. |
| Ключевые слова | гетероэпитаксиальные структуры |
|
дислокации несоответствия нелегированные бездислокационные слои гетероструктуры жидкофазная эпитаксия арсенид галлия |
|
| Солдатенков, Ф. Ю. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 177-183 |
|
| Имя макрообъекта | Соболев_влияние |
| Тип документа | b |
